型号 | SI7457DP-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC |
SI7457DP-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI7457DP-T1-E3 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 28A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 42 毫欧 @ 7.9A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 160nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5230pF @ 50V |
功率 - 最大 | 83W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 带卷 (TR) |